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SiCパワーデバイス市場、2035年までに80.5億ドル規模へ成長予測

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市場概要と成長要因

SiCパワーデバイス市場の成長は、電気自動車、データセンター、再生可能エネルギーシステム、産業用オートメーション、民生用電子機器など、多岐にわたる分野でエネルギー効率に優れたパワーエレクトロニクスへの需要が高まっていることが主な要因です。

例えば、2026年1月には、RISEがスウェーデンおよびヨーロッパの競争力強化を目指し、SiCを活用した次世代パワーエレクトロニクスおよび半導体技術への投資計画を発表しました。このような投資は、市場のさらなる成長を後押しすると考えられます。

市場を抑制する要因

一方で、シリコンベースのデバイスと比較してSiCウェハーのコストが高いことが、予測期間における市場成長の抑制要因となる可能性があります。

最新の市場動向

SiCパワーデバイス市場では、主要企業による技術開発と新製品の投入が活発に行われています。

  • 2025年11月:Wolfspeed, Inc.が高出力インバータの性能基準を再定義する新型1200V SiC 6パックパワーモジュールを発売しました。

  • 2025年5月:Toshiba Electronic Devices & Storage Corporationが産業機器向けの第3世代SiC MOSFETチップを搭載した4種類の650V炭化ケイ素(SiC)MOSFETを発売しました。

市場セグメンテーション

最終用途産業別では、SiCパワーデバイス市場は自動車、再生可能エネルギー、産業製造、航空宇宙と防衛、民生用電子機器に分けられます。このうち自動車分野は、世界的なEV・ハイブリッド車の普及拡大、800V車載アーキテクチャの採用増加、EV充電インフラ拡充への投資活発化を背景に、2026~2035年にかけて40%の市場シェアを占めると予測されています。

地域概要

地域別に見ると、北米市場は、EV普及率の高さ、米国およびカナダ全域におけるEVインフラの急速な拡充、再生可能エネルギーや電力網近代化への投資増加を背景に、今後大きな市場シェアを占めると予測されています。

日本市場においては、車載用パワーエレクトロニクスへのSiCデバイス導入が高度に進んでいることや、パワーエレクトロニクス、半導体材料、デバイスの高効率化に向けた開発への注力が高まっていることから、予測期間中に急速な市場拡大が見込まれます。

主要プレーヤー

世界のSiCパワーデバイス市場における主要なプレーヤーは以下の通りです。

  • Wolfspeed (Cree Inc.)

  • ON Semiconductor

  • STMicroelectronics

  • Infineon Technologies

  • Microchip Technology

また、日本市場のトッププレーヤーとしては、以下の企業が挙げられます。

  • ROHM Co., Ltd.

  • Toshiba Electronic Devices & Storage

  • Fuji Electric

  • Showa Denko K.K. (Resonac)

  • Tokai Carbon Co., Ltd.

詳細レポートについて

この調査レポートの詳細な洞察は、以下のSDKI Inc.のウェブサイトで入手できます。

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