ゲートドライバIC市場の発展、傾向、需要、成長分析および予測2026－2035年

ゲートドライバIC市場、2035年までに28.7億米ドル規模へ成長予測

ゲートドライバIC市場、2035年までに28.7億米ドル規模へ成長予測

SDKI Analyticsが実施した調査「ゲートドライバIC市場」によると、ゲートドライバIC市場は2025年に約14.5億米ドルを記録し、2035年までに市場収益は約28.7億米ドルに達すると予測されています。予測期間中の年平均成長率（CAGR）は約7.1%と見込まれています。

この市場成長の背景には、電気自動車（EV）の生産拡大が挙げられます。国際エネルギー機関（IEA）のデータによれば、2024年における世界の電気自動車生産台数は1,730万台を突破し、世界全体の販売台数は2023年比で25%の増加を記録しました。EVにおいてモーターの効率性および熱特性の向上が不可欠であり、ヘアピン巻線はトラクションモーターにおいて高い出力密度と効率性を実現する上で重要な役割を果たしています。

一方で、SDKI Analyticsによるモーター用ヘアピン巻線市場に関する現状分析および将来予測によれば、製造工程の複雑性や多額の設備投資が必要となる点が課題です。特にレーザー溶接やCNC（コンピュータ数値制御）による曲げ加工システムといった高度な精密技術の導入が不可欠であるため、小規模なOEMや自動車メーカーにとって事業規模の拡大は困難な課題となっています。

市場の最新動向

ゲートドライバIC市場では、製品開発の動きが見られます。

2026年4月には、STMicroelectronicsが過電流保護、サーマルシャットダウン、故障監視といったスマートな保護機能を統合した高速スイッチング対応のGaNゲートドライバICを発表しました。これにより、小型かつ高効率で信頼性の高いモーションコントロールおよび電力変換システムの実現が可能となります。
2023年1月には、Renesas Electronics CorporationがEV用インバータ向けの新型ゲートドライバICを発表しています。本製品は、IGBTおよびSiC MOSFETの効率的な制御を可能にし、高耐圧絶縁、優れたノイズ耐性、信頼性の高い高速スイッチング性能を特長としています。

市場セグメンテーション

ゲートドライバIC市場はデバイスタイプ別に、MOSFETゲートドライバIC、IGBTゲートドライバIC、SiC/GaNゲートドライバICに分割されています。予測期間において、MOSFETゲートドライバICが市場シェアの49%を占め、主導的な地位を確立すると見込まれています。これは、同ICが優れた費用対効果と高効率性を兼ね備えていることから、民生機器、自動車、および産業機器の各分野で幅広く採用されているためです。SDKI Analyticsの調査によると、2023年時点で米国内の電力消費量の約15～20%をデータセンターが占めており、この状況が高効率なMOSFETベースのドライバに対する需要を押し上げる要因となっています。

地域別市場分析

SDKI AnalyticsのゲートドライバIC市場に関する分析によると、北米市場は現在、電気自動車（EV）の急速な普及、再生可能エネルギーの拡大、半導体製造への投資、自動車生産の増加といった要因に牽引され、堅調な成長を遂げています。米国エネルギー情報局（EIA）のデータによれば、2025年における小型自動車による総電力消費量は23,532,855メガワット時に達しました。ゲートドライバICはEV用インバータやバッテリー管理システムにとって極めて重要な構成要素となっています。

一方、日本のゲートドライバIC市場も着実な拡大を見せており、半導体産業における日本の主導的な地位、EVの普及、再生可能エネルギーの導入拡大、そしてエネルギー効率に関する規制などが、その成長を後押しする主要な原動力となっています。世界経済フォーラムによる2023年の報告書でも指摘されている通り、日本では半導体が経済安全保障上の極めて重要な資源として位置づけられています。これを受け、日本政府は国内の半導体生産体制を強化し、IC生産におけるサプライチェーンの強靭化を図るべく、総額2兆円規模の予算を投じる計画を策定しています。