次世代トランジスタ市場、2035年までに613億ドル規模へ成長予測 – SDKI Analytics調査

次世代トランジスタ市場、2035年に向けて大幅な成長を予測
市場成長の主要因
市場の課題
最新の技術動向
市場セグメンテーションと地域動向
1. 日本市場の展望
主要な市場プレーヤー

次世代トランジスタ市場、2035年に向けて大幅な成長を予測

SDKI Analyticsが実施した「次世代トランジスタ市場」に関する調査によると、市場規模は2025年に約157億米ドルと記録され、2035年までに約613億米ドルに達すると予測されています。この期間において、市場は約18.5%の複合年間成長率（CAGR）で成長する見込みです。

市場成長の主要因

次世代トランジスタ市場の成長は、主に先端半導体研究開発と前工程プロセスインフラに対する政府資金の増加に牽引されています。例えば、米国商務省のCHIPS助成金は、先端パッケージング研究やEUVシステム用溶融シリカ材料への投資を含んでおり、これらは3nm以降のトランジスタアーキテクチャに不可欠です。

ヨーロッパでは、ヨーロッパチップ法に基づき、2030年までに半導体製造、先端パッケージング研究開発、パイロット生産施設向けに800億ユーロを超える公的資金が動員されています。これには、トランジスタのスケーリングニーズに対応する高開口数EUVリソグラフィや次世代プロセス技術が含まれます。

市場の課題

一方で、次世代トランジスタ市場には課題も存在します。3nm未満のトランジスタ製造工程で使用されるプラズマ、エッチング、および堆積工程に関連する環境コンプライアンスの枠組みの進化が、大きな障壁となっています。EPA（環境保護庁）は、半導体製造プロセスをPFCやNF₃といった高GWPフッ素化ガスの主要排出源と特定しており、排出削減とコンプライアンスコストの上昇が懸念されています。段階的削減の義務化により、厳格な排出許容量と報告要件が課され、超小型トランジスタラインを構築するファブの経費が増加する可能性があります。

市場セグメンテーションと地域動向

ノードサイズ別では、3nm未満のノードが予測期間中に45%という大きな収益シェアを獲得すると見込まれています。このセグメントは、ゲートオールアラウンドナノシートや新しいデバイススタック材料といったトランジスタアーキテクチャが、資本集約型のリソグラフィやウェーハコンディショニング、計測エコシステムを必要とするため、市場を牽引しています。

地域別に見ると、アジア太平洋地域がプロセス技術と先端ノード研究開発への継続的な国家投資により、引き続き強力な地位を維持しています。予測期間を通じて34%というトップクラスの収益シェアを記録し、14.7%という最速のCAGRで成長すると予想されています。

日本市場の展望

日本の次世代トランジスタ市場は、予測期間中、持続的な成長が見込まれています。超微細デバイス技術を中心とした研究開発エコシステムへの多額の投資が主な牽引役です。数千億円規模の政府支援を受けたRapidusの2nmプログラムは、次世代トランジスタアーキテクチャと統合スキームの実現を目指したパイロットラインの構築を進めています。また、経済産業省の生産動態統計は、最先端のトランジスタ開発を支える国内サプライチェーンが堅調であることを示しており、日本は世界の半導体サプライチェーンにおける地位の回復を積極的に模索しています。